三星超車台積電、英特爾，搶推 10 奈米 SRAM

作者 MoneyDJ | 發布日期 2015 年 11 月 18 日 | 分類 Samsung , 晶片 , 零組件

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三星 17 日宣布，獨立領先業界運用 10 奈米鰭式場效電晶體（FinFET）製程生產 SRAM（靜態隨機存取記憶體），意謂著三星 10 奈米製程技術或許已經超越台積電，甚至連晶片龍頭英特爾（Intel）都被三星超車。

SRAM 速度比 DRAM 快，常被當作中央處理器（CPU）的快取記憶體，藉以提高 CPU 存取效率。台積電與英特爾在 SRAM 製程技術上，目前還分別停留在 16 與 14 奈米。

三星成功開發新世代 SRAM，也代表其處理器製程工藝進階至 10 奈米的過程相當順利，估計有望在 2017 年初進入全面量產，將使三星爭搶處理器代工訂單佔得有利位置。（ETnews.com）

與 14 奈米 SRAM 相比，10 奈米可將 128MB 記憶體單位儲存面積縮小 37.5%，配合 10 奈米打造的處理器，不僅運算效能加快且佔用空間更小。三星希望明年底將 10 奈米完成商業化。

另外，三星還同時將平面 NAND 快閃記憶體製程技術從 16 奈米推進至 14 奈米，將可降低生產成本、改善營利率。東芝、美光目前還停留在 15-16 奈米製程階段，並認為這是平面 NAND 記憶體製程的極致，之後將朝 3D 堆疊發展。不過在三星做出突破後，或許平面 NAND 還有進一步延展的可能。