| 作者 liu milo | 發布日期 2016 年 04 月 06 日 13:42 | 分類 晶片 |
相較於 SK 海力士、美光在 2015 年年中 20 奈米才導入量產，加速 20 奈米製程轉換，在 2016 年才要進入 18/16 奈米製程競賽的同時，早已搶先導入 20 奈米的三星，現在直接丟出 10 奈米 8 Gb DDR4 DRAM 量產的震撼彈，意圖大幅甩開對手糾纏。
三星在 5 日宣布量產 10 奈米 8 Gb DDR4 DRAM，搶先 DRAM 大廠推出 10 奈米製程產品。三星指出，新的 10 奈米 8Gb DDR4 資料傳輸率可達 3,200 Mbps，較上一代 20 奈米 8Gb DDR4 速度提升 30%；並較 20 奈米相同產品省下 10~20% 的電力，這對於高效能運算（HPC）、資料中心或大型企業網絡而言，有一定的吸引力，除了 PC 以外，三星加速搶攻 IT 設備市場的企圖明顯，10 奈米產品線涵蓋 4GB PC 模組，到 128 GB 企業用伺服器，預估年底將大量供貨。而三星也預告，今年稍晚將會推出 10 奈米製程 mobile DRAM，進入 ultra-HD 智慧手機時代。
當製程轉進 10 奈米，微縮更加不易，不過，三星這次還是用 ArF 浸潤式微影技術，還未用到被視為 10 奈米以下製程微縮關鍵的極紫外光（EUV）微影技術。不同於 NAND Flash，DRAM 一個記憶胞（cell）就有一個電晶體與電容，當製程下到 10 奈米，線寬狹小到難以直接將電容堆疊於上頭，三星利用四重曝光（quadruple patterning technology,QPT）技術，來改變 10 奈米記憶胞結構，讓電晶體與電容足以有空間做連結。
DRAM 製程轉進為什麼變得緩慢？
電容問題，成為 DRAM 轉進 10 奈米以下製程的技術難點，另一方面，記憶體大廠在先前 DRAM 大崩盤下咬牙苦撐下來，卻仍舊面臨市況持續不佳的景況，近幾年製程的提升逐漸變得緩慢，也大幅降低投資的比重，當邏輯製程已來到 14/16 奈米，記憶體製程才在 20 奈米，逐步要踏進 18/16 奈米而已，但對橫跨記憶體與晶圓代工的三星而言，即擁有掌握記憶體市場技術轉進的本錢。
三星與台積電、英特爾之間的邏輯製程競賽，已進入 10 奈米以下製程爭戰，由於記憶體製程較邏輯製程容易，台積電、三星通常都以 SRAM、DRAM 來練兵，製程的轉進先從記憶體下手，當良率提升到一定程度再導入邏輯產品。
三星在 2015 年 11 月中即發表 10 奈米 FinFET SRAM，三星在製程技術即領先記憶體群雄，現在 DRAM 製程一舉轉進 10 奈米，藉此狠甩對手的意圖不言可喻。
台積電在去年 12 月底，於供應鏈管理論壇也透露，早已成功以 7 奈米製程產出 SRAM，而且預告供應鏈夥伴可開始準備 5 奈米，接下來邏輯製程競賽同樣可期，依台積電與三星先前說法，10 奈米製程量產約在 2016 年底，英特爾第一顆 10 奈米 CPU 則延至 2017 年下半。不只記憶體製程競賽出現大變化，邏輯製程競賽同樣可期。
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