紫光擬自建 DRAM 廠，借力地方政府取資金

作者 liu milo | 發布日期 2016 年 02 月 01 日 12:01 | 分類 晶片

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中國紫光發展半導體又有新進展，近期傳出紫光積極與中國幾個省份洽談，擬建 DRAM 廠，一反紫光董事長趙偉國先前強調主力往 Nand Flash 布局的說法，或將循華亞科模式，邀請美光等國際大廠技術入股，藉此建立起中國自有 DRAM 廠。

在中國公布〈國家積體電路產業發展推進綱要〉大舉宣布建立自有 IC 供應鏈，受到軍事、國防考量，記憶體產業成為中國亟欲自建的重要產業，除了先前有中國五省市競逐爭取中央補助款建立本土 DRAM 廠，中國紫光集團也積極在記憶體產業布局。

挖角高啟全、宣布入股硬碟大廠威騰（Western Digital，WD）、取得台灣記憶體封測廠力成 25% 的股權，紫光還獲英特爾的入股，英特爾並將大連 12 吋晶圓廠產能轉為生產最先進製程 NAND Flash，但在 DRAM 產業紫光卻始終卡關，尋求收購、入股美光不成，現在可能擬自建晶圓廠，與大廠談技術授權、分產能，據悉，除了美光，SK 海力士也是紫光尋求合作的對象之一。

關於建廠，紫光也積極尋找中國各地方政府的投資，科技新報進一步取得消息，紫光旗下同方國芯發動的 800 億人民幣定向增資還未有著落，消息人士指出，因此紫光與深圳、廈門等省市商洽，透過落戶某一省市藉此取得資金，然目前仍在洽談階段還未有定案。

紫光集團先前透過旗下上市公司同方國芯，提出 800 億定向增資案籌錢，當時官方計畫透過其中 600 億用來投入記憶體晶片工廠、37.9 億用來收購力成 25% 股份，而其中 162 億用來收購 IC 產業相關領域廠商。