三星、SK 海力士開始研發 EUV 技術生產 DRAM，最快 2020 年量產

作者 Atkinson | 發布日期 2018 年 10 月 25 日 11:50 | 分類 Samsung , 國際貿易 , 記憶體

就在台積電與三星在邏輯晶片製程技術逐漸導入 EUV 技術之後，記憶體產業也將追隨。也就是全球記憶體龍頭三星在未來 1Y 奈米製程的 DRAM 記憶體晶片生產上，也在研究導入 EUV 技術。而除了三星之外，南韓另一家記憶體大廠 SK 海力士 (Hynix) 也傳出消息，正在研發 EUV 技術來生產 DRAM 記憶體，未來有機會藉此將生產 DRAM 的成本降低。

根據南韓媒體的報導，不論是處理器還是記憶體，現在的半導體生產幾乎都離不開光刻機。至於，採不採用最先進的 EUV 極紫外光光科技術目前主要是看廠商的需求及成本。相較來說，邏輯晶片上以處理器產品來看，因為在製程節點推進到 7 奈米製程之後，對 EUV 技術的需求就明顯而直接。而且越往下的先進製程，未來也就越仰賴 EUV 技術。

報導指出，而回過頭來看 DRAM 記憶體產業，目前對 EUV 技術需求相對來說就沒有處理器來得不殷切。原因是目前最先進的 DRAM 記憶體製程依然在 18 奈米以上。所以，除了三星與海力士之外，全球三大記憶體廠之一的美光，之前就表態表示，即使到了 1α 及 1β 的製程技術節點，也還沒有使用 EUV 技術的必要性。

不同於美光的看法，三星在處理器的邏輯晶片製程導入 EUV 技術之後，在 DRAM 記憶體製程上也傳出開始在 1Y 奈米製程節點上嘗試 EUV 技術，而且最快在 2020 年量產 EUV 技術的 1Y 奈米 DRAM 記憶體。而除了三星之外，SK 海力士也將在南韓的利川市新建的 DRAM 生產工廠中，研發內含 EUV 技術的 DRAM 記憶體生產技術。

至於，為何要採用 EUV 技術來生產 DRAM 記憶體，其原因就在於可以提高光刻精度、減小線寬、降低記憶體單位容量成本。不過，雖然 DRAM 記憶體希望以 EUV 技術來進行生產。只是，目前在此領域 EUV 技術還不夠成熟，產能不如普通的光刻機，這部分還需要時間來進行改進。

(首圖來源:三星官網)