作者 Atkinson | 發布日期 2018 年 10 月 26 日 9:00 | 分類 國際貿易 , 手機 , 記憶體 |
根據南韓媒體《ETNEWS》報導，南韓記憶體大廠 SK 海力士（SK Hynix）表示，為了因應 2019 年包括 Nand Flash 快閃記憶體及 DRAM 的價格走跌，SK 海力士不但將自 2018 年底前開始減少投資規模，還將監控並調整 2019 年的產能。
報導指出，SK 海力士是在發表 2018 年第 3 季財務狀況時指出，在中美貿易大戰越演越烈，使得市場不確定因素增加的情況下，造成整體市場開始往保守的方向前進。SK 海力士指出，近一年來，DRAM 記憶體雖然價格較低，但卻不是呈現暴跌的情況。而且，Nand Flash 快閃記憶體也因近期的價格下跌，讓整體供過於求的情況也所減緩。不過，在外在因素環境影響下，整體記憶體市場將在 2019 年第 1 季再下修。
SK 海力士進一步表示，就 DRAM 來說，2019 年上半年市場將對伺服器需求的減少，也使得 DRAM 因短缺的情況獲得紓解，使得價格有調降的空間。至於，Nand Flash 快閃記憶體方面，2018 年第 3 季的價格已經跌回 2016 年的價格帶，也就是回到近兩年價格大漲前的價位。加上 2019 年還有進一步下修的機會，所以為了因應這樣的情況，SK 海力士也預計進行相關的措施來面對。
首先，將計劃調整設備投資和產能，以應對價格下跌。這部分包括將在 2019 年第 1 季末將開始量產 Nand Flash 快閃記憶體的 M15 工廠，以降低 SK 海力士對 DRAM 的依賴。而位於中國無錫的 C2 工廠，也將把原來 2y（20nm）和 2z（20nm）的 DRAM 生產製程，優化成 1xnm（10nm 後期）的產品，以降低生產成本，並將在 2019 年第 2 季量產。至於，以生產 Nand Flash 快閃記憶體為主的 M11 工廠，則將把 2D Nand Flash 轉換為生產 3D Nand Flash，也是因為就生產成本來進行的考量。
除了相關產能與製成的變化之外，SK 海力士還表示，未來將進一步縮減知本支出，並且每一季視狀況加以檢討。因為，就目前的情況看來，中美貿易大戰將會影響中國品牌手機商在 2018 年第 4 季到 2019 年的需求，加上英特爾處理器短缺的情況，將衝擊個人電腦未來的市場發展。不過，這樣的情況有機會在 2019 年下半年有所改善。因此，SK 海力士也將會密切觀察。
（首圖來源：Flickr/Kimber Jakes CC BY 2.0）
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